[事例2]高電圧基板のアートワーク+基板作製
初めて高電圧基板を開発するお客様からご相談を受け、弊社主体で基板設計値などのご提案をさせて頂きました。
高電圧基板での空間距離(※1)、沿面距離(※2)は、
・ 各国の規格(JIS、IECなど)
・ 過電圧カテゴリと動作電圧
・ 汚染度
・ 絶縁材料(CTI値)
などによって決まりますが、
本基板では、遵守すべき規格は明確には無いケースだった為、機能、性能、安全性を満足するように、弊社主体で提案を行い、お客様と調整のうえ、
JIS C1010-1 表7 沿面距離
汚染度2、CTI値175以上より、
他ブロック間:10mm
Low-Highブロック間:フォトカプラ部を除き、13.6mm
と決定しました。
出力部FETは、
並列接続のため、配線インダクタンスが同等になるように、対称な配置・配線にしています。
また、フォーミングを行い、ドレイン及びソースと他pinの空間距離を確保するようにしました。
※1、※2 )空間距離、沿面距離とは
測定、制御及び研究室用機器の空間距離及び沿面距離は、JIS C1010等で規定されています。
空間距離 : 2つの導電性部分間の、空間を通る最短距離
沿面距離 : 2つの導電性部分間の、絶縁物の表面に沿った最短距離